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高階人才養成計畫


請注意:111年度奈米產業高階人才養成計畫已於110/11/30截止申請。

  1. 目的
    台灣半導體研究中心(以下簡稱TSRI)為引導教授群共同從事前瞻奈米元件技術開發,培育產業界所需中高階研究人才,並建立與學研界密切的聯結機制,加速研究進程,維持台灣在高科技產業的競爭優勢,特訂定本要點。

  2. 合作對象
    國內各公私立大專院校教授研究群。

  3. 申請方式
    1. 每年於本中心網站公告申請方式及研究項目。
    2. 欲參加計畫的合作對象,須依TSRI所訂的研究項目撰寫「奈米產業高階人才養成計畫申請書」(格式如附件一),申請期限依當年度TSRI公告
    3. 配合TSRI年度計畫規劃,計畫採一年一審,作業流程請見附件二。
    4. 於國內外擔任教學、研究專任職務在五年以內或獲博士學位後五年以內之專任教學、研究人員,得以隨到隨審的方式申請本計畫
  4. 計畫類型
    1. 研究計畫屬連續性計畫者,可以多年期計畫提出申請,但以三年為上限,並需分年填列研究內容及製程需求。
    2. 鼓勵跨領域或跨校的整合型研究計畫,唯須配合TSRI規劃推動的重點研究項目。
  5. 審查方式
    1. 審查方式:
      由TSRI成立專案審查委員會進行審查。專案審查委員會由TSRI主任擔任主任委員,委員五至十人,TSRI副主任為當然委員,餘由主任委員指派;如有外審委員得依規定支給出席費及交通費。
    2. 審查重點:
      研究內容與TSRI年度計畫的相關性、計畫主題的重要性與創新性、研究方法的可行性、投入研究生的合理性、計畫主持人研究表現與執行能力、預期完成的項目、前一年度回報本中心論文、專利等績效狀況。
    3. 預核的多年期計畫於各年度須繳交年度成果報告(格式如附件三),經審核確認計畫的執行成效及預期成果後,始得進行下一年度的計畫。
    4. 審查作業期間:
      自申請案截止收件之次日起審查完成後核定通知。
  6. 執行方式
    • 計畫執行期限:每年一月一日起至十二月三十一日止。
    • 研究群須與TSRI形成共同開發團隊並共同指導學生進行研究計畫。
    • TSRI提供計畫執行期間TSRI既有之氣體及化學品等各項耗材、設備及設備使用。
    • 每個年度核准的計畫件數及使用額度依TSRI當年度的研究規劃及經費執行狀況而定。
  • 權利與義務
    計畫執行期間,參與團隊至TSRI進行研究或從事實驗者
    • 權利:
      1. TSRI提供計畫所需之製程
      2. 可免費申請TSRI所開設的相關教育訓練課程
      3. TSRI提供學生研習室
      4. 可申請使用TSRI會議室
    • 義務:
      1. 每年更新會員基本資料、填寫設備使用滿意度調查問卷並遵守儀器設備使用規範及工安規定。
      2. 參與研究的學生如需自行操作儀器,皆須遵守本中心的相關規定
        唯為增加學習彈性,凡相關系所碩士畢業、並具2年以上半導體領域相關工作經驗、且修習博士學位者,可檢附工作證明及學生證影本,向本中心申請抵免訓練班及見習班。
      3. 須配合繳交各類績效及報告。
      4. 計畫結束後須繳交成果報告並投稿SNDCT(奈米元件電路與技術研討會)發表執行成果。
      5. 至本中心指定的填報系統線上填寫論文發表、人才培育、專利技轉、其它獲獎等研究成果。
      6. 合作發表之論文須致謝台灣半導體研究中心。
      7. 利用TSRI設備製作之試片,其相關製程參數與物性、化性及光電特性等數據,經雙方同意後得留存相關檔案於TSRI,以供雙方參考備查。
      8. 專利分配與技術轉移,依科技部、財團法人國家實驗研究院相關規定辦理。


聯絡窗口

謝小姐;聯絡電話:03-5773693 轉 7724。
Email:plhsieh@narlabs.org.tw