112年計畫申請期限：自111/10/1起至111/11/30止，申請書電子檔請e-mail寄送聯絡窗口。

1. 目的
   台灣半導體研究中心(以下簡稱TSRI)為引導教授群共同從事前瞻奈米元件技術開發，培育產業界所需中高階研究人才，並建立與學研界密切的聯結機制，加速研究進程，維持台灣在高科技產業的競爭優勢，特訂定本要點。


2. 合作對象
   國內各公私立大專院校教授研究群。


3. 申請方式
   1. 每年於本中心網站公告申請方式及研究項目。
   2. 欲參加計畫的合作對象，須依TSRI所訂的研究項目撰寫「奈米產業高階人才養成計畫申請書」(格式如附件一)，申請期限依當年度TSRI公告。
   3. 配合TSRI年度計畫規劃，計畫採一年一審，作業流程請見附件二。
   4. 於國內外擔任教學、研究專任職務在五年以內或獲博士學位後五年以內之專任教學、研究人員，得以隨到隨審的方式申請本計畫。
4. 計畫類型
   1. 研究計畫屬連續性計畫者，可以多年期計畫提出申請，但以三年為上限，並需分年填列研究內容及製程需求。
   2. 鼓勵跨領域或跨校的整合型研究計畫，唯須配合TSRI規劃推動的重點研究項目。
5. 審查方式
   1. 審查方式：
      由TSRI成立專案審查委員會進行審查。專案審查委員會由TSRI主任擔任主任委員，委員五至十人，TSRI副主任為當然委員，餘由主任委員指派；如有外審委員得依規定支給出席費及交通費。
   2. 審查重點：
      研究內容與TSRI年度計畫的相關性、計畫主題的重要性與創新性、研究方法的可行性、投入研究生的合理性、計畫主持人研究表現與執行能力、預期完成的項目、前一年度回報本中心論文、專利等績效狀況。
   3. 預核的多年期計畫於各年度須繳交年度成果報告(格式如附件三)，經審核確認計畫的執行成效及預期成果後，始得進行下一年度的計畫。
   4. 審查作業期間：
      自申請案截止收件之次日起審查完成後核定通知。
6. 執行方式
   • 計畫執行期限：每年一月一日起至十二月三十一日止。
   • 研究群須與TSRI形成共同開發團隊並共同指導學生進行研究計畫。
   • TSRI提供計畫執行期間TSRI既有之氣體及化學品等各項耗材、設備及設備使用。
   • 每個年度核准的計畫件數及使用額度依TSRI當年度的研究規劃及經費執行狀況而定。

• 權利與義務
  計畫執行期間，參與團隊至TSRI進行研究或從事實驗者
  • 權利：
    1. TSRI提供計畫所需之製程
    2. 可免費申請TSRI所開設的相關教育訓練課程
    3. TSRI提供學生研習室
    4. 可申請使用TSRI會議室
  • 義務：
    1. 每年更新會員基本資料、填寫設備使用滿意度調查問卷並遵守儀器設備使用規範及工安規定。
    2. 參與研究的學生如需自行操作儀器，皆須遵守本中心的相關規定
       唯為增加學習彈性，凡相關系所碩士畢業、並具2年以上半導體領域相關工作經驗、且修習博士學位者，可檢附工作證明及學生證影本，向本中心申請抵免訓練班及見習班。
    3. 須配合繳交各類績效及報告。
    4. 計畫結束後須繳交成果報告並投稿SNDCT(奈米元件電路與技術研討會)發表執行成果。
    5. 至本中心指定的填報系統線上填寫論文發表、人才培育、專利技轉、其它獲獎等研究成果。
    6. 合作發表之論文須致謝台灣半導體研究中心。
    7. 利用TSRI設備製作之試片，其相關製程參數與物性、化性及光電特性等數據，經雙方同意後得留存相關檔案於TSRI，以供雙方參考備查。
    8. 專利分配與技術轉移，依國家科學及技術委員會、財團法人國家實驗研究院相關規定辦理。

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