1.計畫構想書內容：半導體中心儀器設備可支援性(佔比20%)
2.團隊近三年於半導體中心績效系統填報情形

(1)完成的碩博士畢業論文人數(佔比40%)
(2)發表論文數與獲得專利件數(佔比40%)

1.折抵半導體中心儀器設備使用費
2.提供至多2名學生免費參與半導體製程技術訓練班(SM01)及半導體製程設備見習班(SM01-1)

(五) 申請週期：採一年一審

1. 申請收件：115年8月1日至115年9月30日

2. 核定通知：115年12月1日
3. 執行期間：116年1月1日至12月31日
4. 額度統計：116年7月1日起
5. 擴充申請：116年7月1日至8月31日

6. 結案通知：116年12月10日

7. 計畫結案：116年12月31日

1.額度統計及調整：116年7月1日辦理各計畫核定額度使用率之統計。使用率未達50%(含)之計畫團隊，其未使用額度將釋出50%由半導體中心進行統籌再分配。
2.額度擴充：核定額度使用率達50%(含)以上之計畫團隊，得自116年7月1日至9月1日間得申請擴充，擴充額度最高為原核定額度的20%。
3.擴充申請之審查依據

(1)團隊年度核定經費使用率大於50%
(2)於半導體中心績效填報系統之績效填報情形及整體表現
(3)於SNDCT論文發表數至少二篇）

4.擴充限制：每年度核定之儀器設備折抵總金額係基於不影響整體服務所設定之資源總量管控，如當年度各計畫核定額度均達前述標準，致無可再配置資源時，得不受理擴充申請。

1.為配合晶創計畫推動我國半導體基礎設施建置與人才培育，鼓勵新進研究團隊投入半導體領域，對於近三年內未曾於半導體中心申請製程技術服務之團隊，得於當年度核給儀器設備使用額度新臺幣一百萬元。
2.配合TSRI SIG (Special Interest Group)鼓勵國內學研團隊與國外團隊建立合作關係之設立宗旨，國內教授得於申請TSRI共同開發計畫(Joint Development Project, JDP)時，同步申請SIG加值(add-on)補助；申請SIG加值(add-on)補助之教授，需先加入TSRI SIG，並依照參加之TSRI SIG所訂定之合約文件，與已經參加TSRI SIG之國外會員完成三方合作合約之簽署。SIG加值補助申請核定之儀器使用費，不得超過其對應JDP計畫核定之補助儀器使用費。SIG申請網址如下：
https://www.tsri.org.tw/tw/commonPage.jsp?kindId=G0001

1.結案通知：系統於116年12月10日發送，計畫團隊應完成績效填報、製程委託案件之預計完成時程檢視，並就未能於年度內完成之製程委託單評估並辦理次年度重新申請作業。
2.年度計畫關閉機制：116年12月31日24時00分關閉當年度計畫之製程委託申請功能並同步終止未完成之製程委託單。
3.年度未完成之製程委託單銜接機制

(1)預為規劃：自116年12月20日起，計畫團隊得就預期無法於當年度完成之案件預為規劃，並依新年度核定計畫或經計畫主持人指定之計畫提出委託申請。

(2)結案終止與後續處理：於116年12月31日24時00分系統關閉時，仍未完成之製程委託單，均應予以終止，且不得沿用原計畫續行執行；如仍有執行需求，應依新核定計畫或經計畫主持人指定之計畫，透過MES系統重新提出委託申請。