高階人才養成計畫
請注意：115年奈米產業高階人才養成計畫收件截止期限為114年11月15日(星期六) 24:00, 逾期不受理
115年高階人才養成計畫(Joint Developed Project, JDP)徵求公告
一、 本計畫之推動，係國家實驗研究院台灣半導體研究中心(以下簡稱TSRI)為協助國內教授群共同從事前瞻奈米元件技術開發，以期加值學界優秀的研究成果，並藉此培育碩博士級中高階研究人才，維持台灣在高科技產業的競爭優勢。
二、 計畫自即日起接受申請，請於114年11月15日(星期六)前以電子郵件方式寄送計畫構想書予本案聯絡窗口，逾期不予受理。三、 申請與構想書撰寫注意事項：
(一) 申請資格：國內各公私立大學院校教授研究群；於國內外擔任教學、研究專任職務在五年以內或獲博士學位後五年以內之專任教學、研究人員，得以隨到隨審的方式申請本計畫。
(二) 計畫執行期限：計畫採一年一審，執行期限為一年(115/1/1-115/12/31)
(三) 支援項目：折抵半導體中心儀器設備使用費、至多2名免費上課的學生，課程限半導體製程技術訓練班(SM01)及半導體製程設備見習班(SM01-1)
(四) 申請資料：計畫構想書(A4直式橫書撰寫、14級字、內容至多2頁)
(二) 計畫執行期限：計畫採一年一審，執行期限為一年(115/1/1-115/12/31)
(三) 支援項目：折抵半導體中心儀器設備使用費、至多2名免費上課的學生，課程限半導體製程技術訓練班(SM01)及半導體製程設備見習班(SM01-1)
(四) 申請資料：計畫構想書(A4直式橫書撰寫、14級字、內容至多2頁)
(五) 核定儀器設備使用費折抵依據：
(1) 計畫構想書內容：半導體中心儀器設備可支援性(佔比20%)
(2) 團隊近三年於半導體中心績效系統填報情形：完成的碩博士畢業論文人數(佔比40%)、發表論文數與獲得專利件數(佔比40%)
(六) 為發揮有限研究資源的最大效益，建立額度回收與再分配機制，讓各團隊於半導體中心儀器設備的核定使用額度能得到有效的運用
(2) 團隊近三年於半導體中心績效系統填報情形：完成的碩博士畢業論文人數(佔比40%)、發表論文數與獲得專利件數(佔比40%)
(1) 額度收回
-至6月30日：使用未達50%(含)的計畫團隊，就其未使用部份，保留未使用金額的50%
-至9月30日：使用未達50%(含)的計畫團隊，就其未使用部份，保留未使用金額的20%
-至9月30日：使用未達50%(含)的計畫團隊，就其未使用部份，保留未使用金額的20%
(2) 額度再分配
-至6月30日，使用超過50%(含)的團隊，可於7月起提出擴充申請，擴充上限為原核定額度的20%
-申請團隊於半導體中心系統填報當年度績效的數量需達前3年平均數的50%(含)以上，且發表論文中需至少有2篇SNDCT
的論文為優先核定對象
(3)本中心每年度核定的儀器設備折抵總金額是在不影響整體對外服務的情況下所做的資源總量管控，如所有計畫使用狀況良好、無額度回收情形，則不提供擴充申請。
(七) 鼓勵措施：
-至6月30日，使用超過50%(含)的團隊，可於7月起提出擴充申請，擴充上限為原核定額度的20%
-申請團隊於半導體中心系統填報當年度績效的數量需達前3年平均數的50%(含)以上，且發表論文中需至少有2篇SNDCT
的論文為優先核定對象
(3)本中心每年度核定的儀器設備折抵總金額是在不影響整體對外服務的情況下所做的資源總量管控，如所有計畫使用狀況良好、無額度回收情形，則不提供擴充申請。
配合晶創計畫布局台灣半導體基礎設施與人才培育措施，本案鼓勵更多研究團隊投入半導體領域，近三年於半導體中心無製程技術服務紀錄或首次申請團隊，當年度核給使用額度100萬元。
四、 參與計畫義務
(一) 至本中心指定的填報系統線上填寫論文發表、人才培育、專利技轉、其它獲獎等研究成果。
(二) 發表論文須致謝國家實驗研究院台灣半導體研究中心。
(三) 如屬雙方合作產出之智慧財產(專利、技術移轉)，應依國家科學及技術委員會、財團法人國家實驗研究院相關規定辦理。
(二) 發表論文須致謝國家實驗研究院台灣半導體研究中心。
(三) 如屬雙方合作產出之智慧財產(專利、技術移轉)，應依國家科學及技術委員會、財團法人國家實驗研究院相關規定辦理。
五、 本中心訂於114/10/15(三)假本中心2樓國際會議廳舉辦115年使用者說明會，意者請洽林小姐03-5773693 #7547。
表單下載
附件一.奈米產業高階人才養成計畫構想書
115年培育學生明細表
附件二.奈米產業高階人才養成計畫作業流程
聯絡窗口
謝小姐；聯絡電話：03-5773693 轉 7724Email：plhsieh@niar.org.tw