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製程元件收費標準

  • 學界自行操作:以訂價*10%收費。
  • 學界(含中研院)委託代工:技術服務費以學界訂價*10%收費,材料費100%收費。
  • 業界自行操作:不開放。
  • 業界委託代工:以業界訂價收費。
注意事項:
1.自行操作預約/委託服務申請:請至 製程與量測分析服務系統 / MES系統 申請
2.委託代工時數未達半小時(30分)者以半小時計。

微影光罩設備



機台編號 設備名稱 自行操作 委託代工
開機費(元/次) 使用費
開機費
(元/次)
使用費
(元/分)
學界
(元/分)
業界
(元/時)
BIO-001 微機電應用實驗室 0 20 不開放 20元/分
CF-C01 CMP化學機械研磨系統 0 73 1,000 106 6,940
CF-C02 Post-cleaner Process化學機械拋光後清洗機 0 25 1,000 76 4,550
CF-C05 前段化學清洗蝕刻工作站front-end wet bench 爐管前-H2SO4 0 60 0 89 6,100
前段化學清洗蝕刻工作站front-end wet bench 爐管前-HCL 0 60 0 89 6,100
前段化學清洗蝕刻工作站front-end wet bench 爐管前-DHF 0 60 0 89 6,100
前段化學清洗蝕刻工作站front-end wet bench 爐管前-NH4OH 0 60 0 89 6,100
前段化學清洗蝕刻工作站front-end wet bench 光阻區-H2SO4 #1 0 60 0 89 6,100
前段化學清洗蝕刻工作站front-end wet bench 光阻區-H2SO4 #2 0 60 0 89 6,100
前段化學清洗蝕刻工作站front-end wet bench 光阻區 B.O.E.7:1 0 60 0 89 6,100
前段化學清洗蝕刻工作站front-end wet bench 光阻區-金屬層去光阻 Metal P.R.Stripping 0 60 0 89 7,250
前段化學清洗蝕刻工作站front-end wet bench H3PO4(8吋) 0 60 0 89 6,100
前段化學清洗蝕刻工作站front-end wet bench B.O.E.7:1 (8吋) 0 60 0 89 6,100
CF-C06 後段化學清洗蝕刻工作站 H2SO4 0 60 0 89 6,100
後段化學清洗蝕刻工作站 B.O.E.7:1 0 60 0 89 6,100
CF-C08 8英吋化學機械研磨系統 學界:1,500
業界:4,000
(暫不開放自行操作)
83 學界:1,500
業界:5,000
133 9,000
CF-C09 8吋後段化學清洗蝕刻工作站 0 80 0 97 168元/分
CF-C10 8吋前段化學清洗蝕刻工作站 0 99 0 124 124元/分
CF-C11 8英吋前段化學機械研磨系統 不開放 不開放 5,000 333 19,980
CF-E04 乾式光阻去除機(FUSION OZONE ASHER) 0 17 0 67 4,800
CF-L02A Leica e-beam電子束直寫系統-光罩製作服務 不開放 0 217 433元/分
Leica e-beam電子束直寫系統-光罩製作服務 光罩圖案佈局-審核 不開放 0 900
元/時
900
光罩圖案佈局-修改 不開放 0 1,300
元/時
1,300
石英光罩製作必須額外支付材料費 不開放 4,000元/片
玻璃罩製作必須額外支付材料費 不開放 2,500元/片
CF-L02W Leica e-beam電子束直寫系統 0 167 0 217 26,000
CF-L05 I-line stepper-I-line 光學步進機 0 200 30,000(業界) 250 27,500
CF-L06 In-line SEM-線上電子顯微鏡 0 1
元/秒
20,000(業界) 178 13,200
CF-L09 Track-自動化光阻塗佈及顯影系統 0 2
元/秒
20,000(業界) 203 14,150
CF-L12 ELS7500電子束直寫微影系統 0 35 20,000(業界) 52 6,000
CF-L13 FIB-離子束電子束雙束系統 委託代工服務 不開放 0 4,500
元/時
7,000
委託TEM樣品製備 不開放 0 10,500
元/個
15,000
元/個
CF-L16 S9260A線上顯微鏡(S926A In-Line SEM) 不開放 0 223 223元/分
CF-L17 阻劑塗佈及顯影系統 ACT8 (TRACK ACT8) 0 151 0 244 244元/分
CF-L18 聚焦電子束系統 (Focus Electron Beam System) -- 不開放 0 405 405元/分
TEM Sample 委託製備 不開放 0 12,500
元/個
17,000
元/個
CF-L19 可變形束電子束曝光機 (Shaped e-beam direct write system) 不開放 0 474 474元/分
CF-L20 晶粒等級圖案定義對準系統(EVG aligner) 0 138 0 205 205元/分
CF-L21 光罩光阻處理系統 不開放 2,500
(材料費/片)
50 3,000
CF-M09 n&k-薄膜測厚儀 0 0.3
元/秒
0 1,200
元/時
1,200
CF-M13 應力量測儀 Stress Measur. System 0 23 1,000 48 3,160
CF-M15 四點探針電阻量測系統4-point probe 0 0.2
元/秒
0 800元/時 800
CF-M17 多功能電性量測系統 0 5 不開放
CF-M19 金屬膜四點探針量測儀 Metal 4 point probe 0 0.4
元/秒
0 1,800
元/時
1,800
CF-M23 光學折射儀NK1500 0 50 0 67 4,500
CF-M24 表面污染分析儀Surfscan 0 48 0 73 5,000
CF-M25 M2000_Ellipsometer橢圓測厚儀 0 67 0 100 100元/分
CF-M28 WYKO 白光干涉儀 0 18 0 35 53元/分
R514 Chem Lab化學實驗室 0 5 不開放


蝕刻薄膜設備



機台編號 設備名稱 自行操作 委託代工
開機費(元/次) 使用費
開機費
(元/次)
使用費
(元/分)
學界
(元/分)
業界
(元/時)
CF-E01 TCP 9400多晶矽乾式蝕刻機(TCP POLY-SILICON ETCHER) 0 25 0 91 6,000
CF-E06 表面輪廓量測儀(SURFACE PROFILER) 0 19 1,000 37 3,240
CF-E07 Mattson ASPEN Asher-乾式光阻去除機 0 42 0 79 5,500
CF-E08 Lam TCP9600 metal etcher金屬乾式蝕刻機 0 25 0 91 6,000
CF-E09 ICP Etcher-感應耦合式電漿蝕刻系統 業界:2,000
(暫不開放自行操作)
71 4,000(業界) 100 7,000
CF-E10 8吋前段多晶矽及介電層乾式蝕刻機台 不開放 0 250 15,000
CF-E11 8吋後段金屬層與金屬層間引洞蝕刻機 不開放 0 250 15,000
CF-E12 多功能後段蝕刻機 0 88 0 113 10,140
CF-E13 12吋智慧終端關鍵技術多腔體多功能蝕刻設備 不開放 0 350 21,000
CF-E14 8 吋全自動表面輪廓儀 0 28 0 53 3,200
CF-E15
慧終端離子性蝕刻機
不開放 0 21,500
元/時
21,500
CF-M11 雷射刻號機 0 58 0 98 6,048
CF-M26 全反射螢光光譜儀 0 87 0 112 10,080
RDT007 原子層沉積系統 不開放 0 100 6000
CF-S06 中電流離子佈植機Implantation (Medium Cruuent) 不開放 0 4,130
元/時
5,500
CF-S08 GaN RTA-氮化鎵快速熱退火處理設備 2,000 31 2,000 56 3,350
CF-T03 水平爐管
Horizontal Furnace
T01 Poly Si 0 0.3
元/秒
0 1,000
元/時
1,000
T02 Nitride 0 0.5
元/秒
0 2,000
元/時
2,000
T03 TEOS 0 0.6
元/秒
0 2,500
元/時
2,500
T04 Dope-AMM 0 0.3
元/秒
0 1,100
元/時
1,100
T05 Wet Oxide 0 20 0 20 1,200
T05、6、7 Dry Oxide 0 20 0 1,200
元/時
1,200
T06 Drive-In 0 20 0 20 1,200
T07 P+ Anneal 0 20 0 20 1,700
T08 H2 Sinter 0 0.5
元/秒
0 2,000
元/時
2,000
CF-T13 垂直爐管 Vertical furnace
Dry Oxide 不開放 0 27 1,500
Wet Oxide 不開放 0 27 1,600
Insitu Doped Poly 不開放 0 27 2,000
CF-T17 後段真空退火爐管Backend Vacuum Anneal Furnace 1,000 25 1,000 52 4,090
CF-T19 Oxford PECVD電漿輔助化學氣相沈積系統 0 43 1,000 75 5,500
CF-T21 電子束度蒸度系統 E-gun system 2,000 13 3,000 30 2,000
CF-T23 FSE Cluster PVD / 多層金屬濺鍍系統 4,000(業界) 77 4,000(業界) 110 8,000
CF-T25 WCVD/鎢金屬化學氣相沉積系統 學界:1,000
業界:4,000
(暫不開放自行操作)
102 學界:1,000
業界:4,000
139 9,000
CF-T26 後段化學氣相沉積系統 不開放 0 117 7,020
CF-T28 8吋高密度電漿化學氣相沉積系統 不開放 0 179 10,740
CF-T29 8吋金屬物理氣相沉積系統 (8吋PVD) 不開放 0 208 12,480
CF-T31 超高真空金屬與金屬氧化物奈米級薄膜濺鍍系統 不開放 0 420 25,200
每片收取10,000
CF-T32 高精準性元素控制薄膜沈積系統 不開放 0 108 6,500
材料費 37元/cycle
CF-T33 高功率異質材料磊晶系統 不開放 0 12,500
元/時
12,500
磊晶材料費 12000/片(Si)、39000/片(SiC)


元件技術設備


機台編號 設備名稱 自行操作 委託代工
開機費(元/次) 使用費
開機費
(元/次)
使用費
(元/分)
學界
(元/分)
業界
(元/時)
CF-S07 雷射製程系統 不開放 1,000 41 4,000
CF-T24 低溫碳奈米管化學氣相沈積系統 0 58 不開放
RDT001 原子層沉積系統 (ALD) 不開放 0 209 209元/分
RDT003 低溫微波加熱系統 不開放 0 100 100元/分
RDT004 快速升溫退火爐 0

18
(一般製程)

2,000 52 66元/分
2,000 18
(Ge與Hight K)
RDT005 四族磊晶機台 使用費 不開放 0 367 367元/分
材料費 不開放 0 134 8000
RDT009 前瞻異質材料金屬有機化學氣相沉積系統 (III-V MOCVD) 不開放 3,000 113 227元/分