製程服務
| 製程服務| 新竹儀器設備列表
友善列印 facebook分享(另開新視窗)

新竹儀器設備列表

注意事項：
1.自行操作預約/委託服務申請：請至 製程與量測分析服務系統 / MES系統 申請
2.設備考核表：請至 儀器設備訓練申請
3.設備開放等級：說明

微影光罩設備

設備
編號		 設備名稱 聯絡窗口 分機 設備
簡介		 技術
資料		 標準
製程		 注意
事項		 設備
作業標準		 設備
考核說明		 開放
等級
C05 Wet Bench (class 100)-清洗蝕刻工作站 負責-彭馨誼
代理-劉信良		 7714
7699		 C05-A C05-B C05-C C05-D C05-E C05-F B2
C06 Wet Bench (class 1000 back end )-後段清洗蝕刻工作站 負責-劉信良
代理-彭馨誼		 7699
7714		 C06-A C06-B C06-C C06-D C06-E C06-F B2
C08 8”CMP-8英吋化學機械研磨系統 負責-呂如梅
代理-劉信良		 7613
7699		 C08-A C08-B C08-C C08-D C08-E -- B4
C09 8吋後段化學清洗蝕刻工作站 負責-劉信良
代理-彭馨誼		 7699
7714		 C09-A C09-B C09-C C09-D C09-E C09-F B2
C10 8吋前段化學清洗蝕刻工作站 負責-彭馨誼
代理-劉信良		 7714
7699		 C10-A C10-B C10-C C10-D C10-E C10-F B2
C11 前段化學機械研磨系統
負責-劉瑞敏
代理-劉信良
7716
7699
 C11-A -- -- -- C11-E -- B4
L02A 光罩製作服務 負責-洪鶯玲 7746 -- -- -- L2A-D -- -- B4
L02W Leica e-beam-電子束直寫系統 負責-劉正財
代理-蔣曉白		 7649
7579		 L2W-A L2W-B L2W-C L2W-D L2W-E L2W-F B3
L05 I-line stepper-I-line 光學步進機 負責-許進財
代理-黃才銘		 7648
7567		 L05-A L05-B
L05C-B		 L05-C
L05C-C		 L05-D
L05C-D		 L05-E L05-F B2
L06 In-line SEM-線上電子顯微鏡 負責-劉正財 7649 L06-A L06-B -- L06-D L06-E L06-F B2
L09 Track-自動化光阻塗佈及顯影系統 負責-洪鶯玲
代理-洪朝欣		 7746
7573		 L09-A L09-B L09-C L09-D L09-E L09-F B2
L13 FIB-電子束離子束雙束系統 負責-李美儀
代理-陳虹君		 7652
7575		 L13-A L13-B -- L13-D L13-E L13-F B4
L16 S9260A 線上型電子顯微鏡
負責-劉正財
 		 7649 L16-A L16-B -- L16-D L16-E L16-F B3
L17 阻劑塗佈及顯影系統ACT8 負責-黃才銘
代理-洪朝欣		 7567
7573		 L17-A L17-B L17-C L17-D L17-E L17-F B2
L18 聚焦電子束系統 負責-陳虹君
代理-李美儀		 7575
7652		 L18-A L18-B -- L18-D L18-E L18-F B4
L19 可變形束電子束曝光機 負責-蔣曉白
代理-鄭旭君		 7579
7644		 L19-A L19-B L19-C L19-D L19-E L19-F B4
L20 晶粒等級圖案定義對準系統 負責-洪朝欣
代理-鄭旭君		 7573
7644		 L20-A L20-B L20-C L20-D L20-E L20-F B2
L21 光罩光阻處理系統 負責-洪朝欣
代理-洪鶯玲
7573
7746
 L21-A -- L21-C -- L21-E -- B4
L22 高速量產型光學曝光系統(248 Scanner) 負責-黃才銘 7567 L22-A L22-B L22-C L22-D L22-E   B4
L24

電子束微影系統
(Raith Voyager )

 負責-許進財 7648 L24_A L24_B   L24-D L24-E L24-F B2
M13 Stress Measurement System-應力量測儀 負責-呂如梅
代理-李美儀		 7613
7652		 M13-A M13-B M13-C M13-D M13-E M13-F B2
M18 UV-vis-紫外可見光光譜儀 負責-彭馨誼
代理-劉信良		 7714
7699		 M18-A M18-B M18-C M18-D M18-E M18-F B1
M19 Metal 4 point probe-金屬膜四點探針量測儀 負責-劉信良
代理-蔣曉白		 7699
7579		 M19-A M19-B M19-C M19-D M19-E M19-F B2
M20 Adhension test-薄膜附著力測試系統 負責-劉信良
代理-彭馨誼		 7699
7714		 M20-A M20-B M20-C M20-D M20-E M20-F B1
M23 NK1500-薄膜厚度分析儀 負責-劉瑞敏
代理-呂如梅		 7716
7613		 M23-A -- M23-C M23-D M23-E M23-F B2
M24 Topcon Surfscan-表面污染分析儀 負責-彭馨誼
代理-劉信良		 7714
7699		 M24-A M24-B M24-C M24-D M24-E M24-F B2
M25 Ellipsometer M2000橢圓測厚儀 負責-劉瑞敏
代理-呂如梅		 7716
7613		 M25-A M2-5B -- M25-D M25-E M25-F B2
M28 Wyko 白光干涉儀 負責-呂如梅 7613 M28-A -- M28-C M28-D M28-E M28-F B3
R414 Chem lab-化學實驗室 負責-彭馨誼
代理-劉信良		 7714
7699		 -- -- -- R514-D -- R514-F B1



蝕刻薄膜設備

設備
編號		 設備名稱 聯絡窗口 分機 設備
簡介		 技術
資料		 標準
製程		 注意
事項		 設備
作業標準		 設備
考核說明		 開放
等級
E01 TCP poly etcher-多晶矽乾式蝕刻機 朱柏豪 7554 E01-A E01-B E01-C E01-D E01-E E01-F B2
E07 Mattson ASPEN Asher-乾式光阻去除機 邱文政 7569 E07-A E07-B E07-C E07-D E07-E E07-F B1
E08 TCP9600 CF-E08 金屬乾式蝕刻機 朱柏豪 7554 E08-A E08-B E08-C E08-D E08-E E08-F B2
E09 ICP Etcher-感應耦合式電漿蝕刻系統 許倬綸 7651 E09-A E09-B E09-C E09-D E09-E E09-F B3
E10 8吋前段多晶矽與介電層蝕刻機 段佑宗 7521 E10-A E10-B E10-C E10-D E10-E E10-F B3
E11 8吋後段金屬與金屬層間引洞蝕刻機 段佑宗 7521 E11-A E11-B E11-C E11-D E11-E E11-F B3
E13 12吋智慧終端關鍵技術多腔體多功能蝕刻設備 許倬綸 7651 E13-A E13-B E13-C E13-D -- -- B4
E14 8 吋全自動表面輪廓儀 朱柏豪 7554 E14-A E14-B E14-C E14-D E14-E E14-F B2
E15
智慧終端離子性蝕刻機
 許倬綸 7651 E15-A E15-B E15-C E15-D     B4
E16 低損傷磊晶蝕刻機 許文達 7537 E16-A E16-B E16-C E16-D     B4
M11 Laser Marker-雷射刻號機 劉思菁 7661 M11-A M11-B M11-C M11-D M11-E M11-F B4
M26 全反射式X光螢光光譜儀 劉思菁 7661 M26-A M26-B M26-C M26-D -- -- B4
RDT007 電漿輔助式原子層沉積系統 謝錦龍 7520 RDT007-A -- RDT007-C RDT007-D RDT007-E RDT007-F B4
S06 Implantation E500HP-中電流離子佈植機 巫振榮 7698 S06-A S06-B S06-C S06-D S06-E S06-F B4
S07 雷射製程系統 牛登彥 7790 S07-A S07-B S07-C S07-D     B4
S08 GaN RTA-氮化鎵快速熱退火處理設備 廖苑辰 7698 S08-A S08-B S08-C S08-D S08-E S08-F B2
S09 超低能量摻雜與改質機 廖苑辰 7583 S09-A S09-B S09-C S09-D     B4
T03 Horizontal Furnace - 水平爐管 劉思菁 7661 T03-A T03-B T03-C T03-D T03-E T03-F B2
T13 Vertical furnace-垂直爐管 巫振榮 7698 T13-A T13-B T13-C T13-D T13-E T13-F B3
T17 Backend vacuum annealing furnace-後段真空退火爐管 巫振榮 7698 T17-A T17-B T17-C T17-D T17-E T17-F B2
T19 Oxford PECVD-電漿輔助化學氣相沈積系統 周科吟 7539 T19-A T19-B T19-C T19-D T19-E T19-F B2
T21 E-gun-電子槍金屬蒸鍍系統 許文達 7537 T21-A T21-B T21-C T21-D T21-E T21-F B2
T23 FSE Cluster PVD-多層金屬濺鍍系統 楊雲凱 7763 T23-A T23-B T23-C T23-D T23-E -- B4
T25 WCVD 鎢金屬化學氣相沉積系統 周科吟 7539 T25-A T25-B T25-C T25-D T25-E T25-F B2
T26 後段化學氣相沉積系統 朱柏豪 7554 T26-A T26-B T26-C T26-D T26-E T26-F B2
T28 8吋高密度化學氣相沉積系統 周科吟 7539 T28-A T28-B T28-C T28-D T28-E T28-F B2
T29 8吋金屬物理氣相沉積系統 (8吋PVD) 楊雲凱 7763 T29-A T29-B T29-C T29-D T29-E T29-F B2
T31 超高真空金屬與金屬氧化物奈米級薄膜濺鍍系統 楊雲凱 7763 T31-A T31-B T31-C T31-D T31-E T31-F B4
T32
高精準性元素控制薄膜沈積系
統
 邱文政 7569 T32-A T32-B T32-C T32-D     B4
T33 高功率異質材料磊晶系統 許隆興 7587 T33-A T33-B T33-C T33-D     B4



元件技術設備

設備
編號		 設備名稱 聯絡窗口 分機 設備
簡介		 技術
資料		 標準
製程		 注意
事項		 設備
作業標準		 設備
考核說明		 開放
等級
RDT001 原子層沉積系統 (ALD) 侯福居 7636 RDT001-A RDT001-B RDT001-C RDT001-D -- -- B4
RDT003 低溫微波加熱系統 宋柏融 7672 RDT003-A RDT003-B RDT003-C RDT003-D -- -- B4
RDT004 快速升溫退火爐 林念芝 7709 RDT004-A -- RDT004-C RDT004-D RDT004-E -- B2
RDT005 四族磊晶機台 羅廣禮 7660 RDT005-A RDT005-B RDT005-C RDT005-D RDT005-E -- B4
RDT009 前瞻異質材料金屬有機化學氣相沉積系統 (III-V MOCVD) 陳仕鴻 7655 RDT009-A RDT009-B RDT009-C RDT009-D -- -- B4