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互補金氧半-微機電系統的製程

P0008
一種與互補金氧半完全相容的微機電系統多計劃晶片的製程，包括在一晶片表面上塗佈一層厚光阻，圖案化該光阻以定義一微加工區域，以及在該微加工區域中進行一微加工以形成懸浮微結構。
  • 申請國家：美國
  • 專利證書號：7435612B2下載
  • 申請國家：中華民國
  • 專利證書號：I293787下載

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